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Field-effect transistor TGF2979-SM for radio frequency power amplification
QFN-20Hersteller:
Herstellerteil #:
TGF2979-SM
Datenblatt:
Shipping Restrictions:
This product may require additional documentation to export from the United States.
Transistor Type:
HEMT
Technology:
GaN SiC
Operating Frequency:
DC to 12 GHz
EDA/CAD Modelle:
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Product Category | RF JFET Transistors | Shipping Restrictions | This product may require additional documentation to export from the United States. |
Transistor Type | HEMT | Technology | GaN SiC |
Operating Frequency | DC to 12 GHz | Gain | 11 dB |
Transistor Polarity | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 32 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 2.7 V | Id - Continuous Drain Current | 1.8 A |
Output Power | 22 W | Maximum Operating Temperature | + 225 C |
Pd - Power Dissipation | 49 W | Mounting Style | SMD/SMT |
Configuration | Single | Development Kit | TGF2979-SMEVB1 |
Height | 0.203 mm | Length | 4 mm |
Moisture Sensitive | Yes | Number of Channels | 1 Channel |
Product | RF JFET Transistors | Product Type | RF JFET Transistors |
Series | TGF2979 | Factory Pack Quantity | 50 |
Subcategory | Transistors | Type | GaN SiC HEMT |
Width | 3 mm | Part # Aliases | TGF2979 1127378 |
Unit Weight | 0.004339 oz |
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
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