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Siehe Technische Spezifikationen

TSM170N06CH C5G +BOM

N-Channel 60 V 38A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

TSM170N06CH C5G
Datenblatt:

TSM170N06CH C5G Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM170N06CH C5G

TSM170N06CH C5G Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 38A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	38 A	Rds On - Drain-Source Resistance	15 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Qg - Gate Charge	15 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	46 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	7.9 ns	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	MOSFET	Rise Time	24.2 ns
Factory Pack Quantity	3750	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	32.3 ns
Typical Turn-On Delay Time	8.6 ns	Part # Aliases	TSM170N06CH
Unit Weight	0.011993 oz

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