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Siehe Technische Spezifikationen

TSM2N7002AKDCU6 RFG +BOM

MOSFET 60V, 0.22A, Dual N-Channel Power MOSFET

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

TSM2N7002AKDCU6 RFG
Datenblatt:

TSM2N7002AKDCU6 RFG Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM2N7002AKDCU6 RFG

TSM2N7002AKDCU6 RFG Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 60V 220mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-363

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	220 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	2.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V
Qg - Gate Charge	91 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	240 mW
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Dual
Fall Time	50 ns	Forward Transconductance - Min	0.5 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns	Part # Aliases	TSM2N7002AKDCU6
Unit Weight	0.000265 oz

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