Bezahlverfahren
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
E-LineHersteller:
Diodes Incorporated
Herstellerteil #:
ZVN4306A
Datenblatt:
REACH:
Details
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
N-Channel
Senden Sie alle Stücklisten an
[email protected],
oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für ZVN4306A zu erhalten. Garantierte Antwort innerhalb
12hr.
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
Product ZVN4306A is a high-performance MOSFET transistor suitable for N-channel logic applications. With a continuous drain current of 1.1A and a drain-source voltage rating of 60V, this transistor offers reliable performance in various circuit designs. The on-resistance (Rds(on)) is measured at 450mOhm with a test voltage (Vgs) of 10V, ensuring efficient power management. The threshold voltage (Vgs Typ) is specified at 3V, making it compatible with a wide range of control signals
Product Category | MOSFET | REACH | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 1.1 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V | Qg - Gate Charge | - |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 850 mW | Channel Mode | Enhancement |
Series | ZVN4306 | Configuration | Single |
Fall Time | 16 ns | Forward Transconductance - Min | 700 mS |
Height | 4.01 mm | Length | 4.77 mm |
Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 25 ns | Factory Pack Quantity | 4000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | FET | Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Width | 2.41 mm |
Unit Weight | 0.016000 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren