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Siehe Technische Spezifikationen

ZXM61P02FTA +BOM

P-Channel MOSFET Transistor with 20V voltage rating and 0.9A current rating

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXM61P02FTA
Datenblatt:

ZXM61P02FTA Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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ZXM61P02FTA Allgemeine Beschreibung

The ZXM61P02FTA is a high-performance 20V P-Channel MOSFET designed for small signal applications. With a 0.9A drain current rating, this transistor offers reliable performance in a compact package. Utilizing enhancement mode technology, it provides fast switching speeds and low on-resistance for efficient operation. The silicon construction ensures durability and stable performance over a wide temperature range

Hauptmerkmale

LOW THRESHOLD

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	920 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	600 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	700 mV
Qg - Gate Charge	3.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	806 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	ZXM61P02
Configuration	Single	Fall Time	10.1 ns
Forward Transconductance - Min	0.56 S	Height	1.02 mm
Length	3.04 mm	Product	MOSFET Small Signals
Product Type	MOSFET	Rise Time	6.7 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	11.2 ns	Typical Turn-On Delay Time	2.9 ns
Width	1.4 mm	Unit Weight	0.000282 oz

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