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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXMC10A816N8 +BOM

minimal gate drive needed for low on-resistance

Hersteller:

diodes incorporated
Herstellerteil #:

ZXMC10A816N8
Datenblatt:

ZXMC10A816N8 Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

SO-8
Produktart:

Single FETs, MOSFETs
RoHS:
Lebenszyklus:

Active
EDA/CAD Modelle:

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ZXMC10A816N8 Allgemeine Beschreibung

The ZXMC10A816N8 MOSFET stands out as a top choice for high efficiency, low voltage, and low power switching applications. With a maximum drain-source voltage rating of -80V and a continuous drain current rating of -1.6A, this MOSFET is well-suited for a diverse range of power management applications. Its low on-resistance of 0.65 ohms at a gate-source voltage of -4.5V ensures efficient power transfer with minimal voltage drop. Additionally, its fast switching speed, with a typical turn-on time of 4.5ns and a turn-off time of 28ns, allows for quick response times in switching applications. Encased in an SOT23-8 package, the ZXMC10A816N8 is compact and user-friendly, making it an excellent choice for space-constrained designs. Furthermore, it operates over a wide temperature range of -55°C to 150°C, guaranteeing dependable performance in various operating conditions. In conclusion, the ZXMC10A816N8 delivers a reliable and efficient solution for power management applications

Anwendung

Automotive body control modules
Industrial control systems
Smart appliances
Home automation
LED lighting control
Motor control applications
Power management systems
Portable devices
Robotics
Sensor modules

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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