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Tape and reel packaged N/P-ch MOSFET transistor, rated for 100V and 2.1A/2.2A, encapsulated in an 8-pin SO format
8-SOIC(0.154",3.90mmWidth)Hersteller:
Diodes Incorporated
Herstellerteil #:
ZXMC10A816N8TC
Datenblatt:
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:
N and P-Channel
FET Feature:
Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):
100V
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Built for efficiency and reliability, the ZXMC10A816N8TC offers high-speed performance and a compact 8-pin package, making it suitable for space-constrained applications. Its robust design and integrated protection features make it an ideal choice for applications such as DC-DC converters, motor drives, and Class D amplifiers where driving power MOSFETs is critical. With the ability to handle high frequencies and a wide input voltage range, this MOSFET driver provides flexibility and high performance in demanding environments
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | N and P-Channel |
FET Feature | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 497pF @ 50V, 717pF @ 50V | Power - Max | 1.8W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | ZXMC10 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1000+ $0,587
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