Bezahlverfahren
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
Robust and durable transistor for high-power application
8-SOIC(0.154",3.90mmWidth)Hersteller:
Diodes Incorporated
Herstellerteil #:
ZXMC4559DN8TC
Datenblatt:
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:
N and P-Channel
FET Feature:
Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):
60V
Senden Sie alle Stücklisten an
[email protected],
oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für ZXMC4559DN8TC zu erhalten. Garantierte Antwort innerhalb
12hr.
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
The ZXMC4559DN8TC MOSFET is a powerhouse of efficient power conversion technology. Its robust design features a maximum voltage rating of 100V and a maximum continuous drain current of 1.4A, making it ideal for high-demand applications. With an ultra-low on-resistance of 1.5 ohms at 10V gate voltage, this MOSFET delivers exceptional performance, minimizing power losses and maximizing efficiency. The DFN8 package ensures a compact and lightweight footprint, while its low input/output capacitance further enhances overall performance by reducing switching losses
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Configuration | N and P-Channel |
FET Feature | Logic Level Gate | Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A, 2.6A | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.4nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1063pF @ 30V | Power - Max | 2.1W |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | ZXMC4559 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren