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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXMD63C02XTA +BOM

Dual-channel HDMOS transistor with 20V voltage rating

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMD63C02XTA
Datenblatt:

ZXMD63C02XTA Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

N and P-Channel
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

20V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXMD63C02XTA

ZXMD63C02XTA Allgemeine Beschreibung

The compact MO-187AA package provides a convenient and space-saving solution for integrating the transistor into circuit board layouts. Additionally, the MSOP-8 form factor enhances ease of assembly and handling during manufacturing processes. Whether used in consumer electronics, automotive systems, or industrial controls, the ZXMD63C02XTA delivers consistent performance and long-term durability

Hauptmerkmale

Low On-resistance
Fast Switching Speed
Low Threshold
Low Gate Drive
Low Profile SOIC Package

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.4A, 1.7A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 15V	Power - Max	1.04W
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZXMD63

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