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Siehe Technische Spezifikationen

ZXMHC3F381N8TC +BOM

Dual N/P-MOSFET transistor designed for unipolar operation, supporting voltages of 30V and -30V, currents of 3

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMHC3F381N8TC
Datenblatt:

ZXMHC3F381N8TC Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel, P-Channel
Number Of Channels:

4 Channel
EDA/CAD Modelle:

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ZXMHC3F381N8TC Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 30V 3.98A, 3.36A 870mW Surface Mount 8-SO

Hauptmerkmale

2 x N + 2 x P channels in a SOIC package Low voltage (VGS = 4.5 V) gate drive

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Number of Channels	4 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	4.98 A, 4.13 A	Rds On - Drain-Source Resistance	33 mOhms, 55 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	9 nC, 12.7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	870 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	ZXMHC3
Configuration	Quad	Fall Time	6.3 ns, 21 ns
Forward Transconductance - Min	11.8 S, 14 S	Product Type	MOSFET
Rise Time	3.3 ns, 3 ns	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel, 2 P-Channel
Type	H-Bridge	Typical Turn-Off Delay Time	11.5 ns, 30 ns
Typical Turn-On Delay Time	2.5 ns, 1.9 ns	Unit Weight	0.026455 oz

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