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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXMHC6A07T8TA +BOM

Compact pin SMT/R package ideal for space-constrained project

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMHC6A07T8TA
Datenblatt:

ZXMHC6A07T8TA Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel, P-Channel

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

ZXMHC6A07T8TA Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 60V 1.6A, 1.3A 1.3W Surface Mount SM8

Hauptmerkmale

4-channel FET array with 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FETs
Maximum power dissipation of 1.7 W
Drain-source resistance of 300 mOhms 425 mOhms
Packaged in a SM8 Cut Tape (CT) Alternate Packaging
Operating temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ)
Gate charge of 3.2nC @ 10V
Transconductance of 2.3 S 1.8 S
Maximum drain-source resistance of 300 mOhm @ 1.8A, 10V

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel	Number of Channels	4 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	1.8 A, 1.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance	300 mOhms, 425 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	3.2 nC, 5.1 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.3 W	Channel Mode	Enhancement
Series	ZXMHC6A	Configuration	Quad
Fall Time	2 ns, 5.8 ns	Forward Transconductance - Min	2.3 S, 1.8 S
Height	1.6 mm	Length	6.7 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	1.4 ns, 2.3 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	2 N-Channel, 2 P-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	4.9 ns, 13 ns
Typical Turn-On Delay Time	1.8 ns, 1.6 ns	Width	3.7 mm
Unit Weight	0.002610 oz

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