Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXMN10A08DN8TA +BOM

N-Channel Enhancement MOSFET, 100V, 2.1A, ZXMN10A08DN8TA

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMN10A08DN8TA
Datenblatt:

ZXMN10A08DN8TA Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 N-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

100V

ZXMN10A08DN8TA Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
Low profile SOIC package

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.6A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 50V	Power - Max	1.25W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXMN10

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..