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N-Channel 100 V 0.25 Ohm Power MOSFET Surface Mount -SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AAHersteller:
Diodes Incorporated
Herstellerteil #:
ZXMN10A08GTA
Datenblatt:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2A (Ta)
EDA/CAD Modelle:
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For those in need of a powerful and versatile N-channel transistor, the ZXMN10A08GTA from Diodes Inc. is an excellent choice. With a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 2A, this transistor is well-equipped to handle a variety of electronic applications. Its surface mount design and low Rds(On) test voltage of 10V make it easy to integrate into circuitry while offering efficient performance. The ZXMN10A08GTA boasts a maximum gate-source threshold voltage of 2V and a power dissipation of 2W, ensuring reliable operation in demanding conditions. However, it's important to note that this product is not RoHS compliant. With 4 pins, this transistor offers versatility and ease of installation
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 50 V |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | ZXMN10 |
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