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ZXMN10A11GTA +BOM

100V N-channel UMOS MOSFET

ZXMN10A11GTA Allgemeine Beschreibung

The ZXMN10A11GTA is a robust 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Power Field-Effect Transistor with a maximum current rating of 2.4A I(D) and an on-state resistance of 0.35ohm. Its N-Channel design and Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET construction make it a high-performance solution for power management, motor control, and other electronic applications where efficiency and reliability are essential. The transistor's 1-Element configuration ensures straightforward integration into various circuit designs, while its high voltage tolerance and low on-state resistance guarantee optimal performance in challenging environments

Hauptmerkmale

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Low threshold
  • Low gate drive
  • SOT223 package

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category MOSFET REACH Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Id - Continuous Drain Current 2.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance 350 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 5.4 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 2 W Channel Mode Enhancement
Series ZXMN10A Configuration Single
Fall Time 3.5 ns Forward Transconductance - Min 4 S
Height 1.65 mm Length 6.7 mm
Product Type MOSFET Rise Time 1.7 ns
Factory Pack Quantity 1000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 7.4 ns Typical Turn-On Delay Time 2.7 ns
Width 3.7 mm Unit Weight 0.003951 oz

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