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Siehe Technische Spezifikationen

ZXMN10B08E6TA +BOM

This ROHS-compliant SOT-26 MOSFET, ZXMN10B08E6TA, operates efficiently with a current of 1.6A while maintaining a low on-resistance of 230mΩ at 10V

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMN10B08E6TA
Datenblatt:

ZXMN10B08E6TA Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

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ZXMN10B08E6TA Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 1.6A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26

Hauptmerkmale

LOW THRESHOLD

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	1.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	230 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	9.2 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.1 W
Channel Mode	Enhancement	Series	ZXMN10
Configuration	Single	Fall Time	2.1 ns
Height	1.3 mm	Length	3.1 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	2.1 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time	12.1 ns
Typical Turn-On Delay Time	2.9 ns	Width	1.8 mm
Unit Weight	0.000529 oz

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