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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXMN20B28KTC +BOM

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 200 V, RoHS

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMN20B28KTC
Datenblatt:

ZXMN20B28KTC Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

1.5A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC Allgemeine Beschreibung

For ease of use and enhanced thermal management, the ZXMN20B28KTC comes in a TO-252 packaging. This not only simplifies the mounting process but also aids in heat dissipation, ensuring optimal performance in different environments. Moreover, this MOSFET is compliant with RoHS regulations, underscoring its environmental friendliness and suitability for use in consumer electronics and industrial settings

Hauptmerkmale

HIGH RELIABILITY

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.1 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	358 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.2W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZXMN20

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