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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXMN2B01FTA +BOM

N-Channel MOSFET with 20V Voltage Rating and 2.4A Current Capacity in SOT23 Package, RL

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMN2B01FTA
Datenblatt:

ZXMN2B01FTA Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

2.1A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXMN2B01FTA

ZXMN2B01FTA Allgemeine Beschreibung

In practical terms, this transistor can be effectively utilized in load switching, power amplifiers, and motor control systems. Its construction quality and low power consumption contribute to efficient operation, guaranteeing long-lasting functionality in diverse environments. The ZXMN2B01FTA stands out as a reliable and efficient component for various electronic applications, offering the performance and versatility needed for modern circuit design

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
SOT23 package

Spezifikationen

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	370 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	625mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZXMN2

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