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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXMP3A17E6TA +BOM

Silicon transistor with 3.2A current rating and 30V voltage capacity

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMP3A17E6TA
Datenblatt:

ZXMP3A17E6TA Datenblatt (PDF)
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

3.2A (Ta)
EDA/CAD Modelle:

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ZXMP3A17E6TA Allgemeine Beschreibung

P-Channel 30 V 3.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-6

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
Low profile SOIC package

Spezifikationen

FET Type	P-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	630 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZXMP3A17

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