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Siehe Technische Spezifikationen

ZXMP6A17E6QTA +BOM

Mosfet Bvdss: 41V~60V Sot26 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP6A17E6QTA

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMP6A17E6QTA
Datenblatt:

ZXMP6A17E6QTA Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

ZXMP6A17E6QTA Allgemeine Beschreibung

The ZXMP6A17E6QTA is a MOSFET that is designed for high reliability automotive applications. With an Automotive Qualification Standard of AEC-Q101, this P-channel MOSFET is built to withstand the harsh environments and stringent requirements of the automotive industry. Its maximum operating temperature of 150°C ensures that it can perform reliably even in high temperature conditions

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
Low profile SOIC package

Spezifikationen

Series	Automotive, AEC-Q101	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.3A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125mOhm @ 2.3A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.7 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	637 pF @ 30 V	Power Dissipation (Max)	1.1W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXMP6A17

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