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Siehe Technische Spezifikationen

ZXMP6A18DN8TA +BOM

55mΩ resistance at 10V and 3.7A

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXMP6A18DN8TA
Datenblatt:

ZXMP6A18DN8TA Datenblatt (PDF)
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Configuration:

2 P-Channel (Dual)
FET Feature:

Logic Level Gate
Drain To Source Voltage (Vdss):

60V

ZXMP6A18DN8TA Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 60V 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Fast switching speed
Low threshold
Low gate drive
Low profile SOIC package

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Configuration	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.7A	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA (Min)	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1580pF @ 30V	Power - Max	1.8W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXMP6A18

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