Bezahlverfahren
ZXT849KTC +BOM
NPN Bipolar Transistor for General Purpose Applications, 30 Volts, 7 Amps, 4200 milliwatts, DPAK Package with 3 Pins
TO-252-3-
Hersteller:
Diodes Incorporated
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Herstellerteil #:
ZXT849KTC
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Datenblatt:
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Transistor Type:
NPN
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Current - Collector (Ic) (Max):
7 A
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
30 V
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Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
280mV @ 350mA, 7A
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 8079 Stck
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ZXT849KTC Allgemeine Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 7 A 100MHz 4.2 W Surface Mount TO-252-3
Hauptmerkmale
- BVCEO> 30V
- IC = 7A High Continuous Collector Current
- ICM = 20A Peak Pulse Current
- RCE(SAT) = 33mΩ for Low Equivalent On-Resistance
- hFE Specified Up to 20A for a High Gain Hold Up
- Low Saturation Voltages
- Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Anwendung
DC - DC converters |DC - DC modules |Power switches |Motor control |Automotive circuitsSpezifikationen
Transistor Type | NPN | Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 280mV @ 350mA, 7A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20nA (ICBO) | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
Power - Max | 4.2 W | Frequency - Transition | 100MHz |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | ZXT849 |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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