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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXTD09N50DE6TA +BOM

NPN Bipolar Transistors - BJT Dual 50V

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTD09N50DE6TA
Datenblatt:

ZXTD09N50DE6TA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

270mV @ 50mA, 1A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXTD09N50DE6TA

ZXTD09N50DE6TA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 1A 215MHz 1.1W Surface Mount SOT-26

Hauptmerkmale

BVCEO> 50V
IC = 1A High Continuous Current
High Gain
RSAT = 160mΩ for Low Equivalent On Resistance
Low Saturation Voltage VCE(sat) <-270mV @ 1A
Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)

Spezifikationen

Transistor Type	2 NPN (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	10nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 2V
Power - Max	1.1W	Frequency - Transition	215MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTD09

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