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Siehe Technische Spezifikationen

ZXTD4591E6 +BOM

Transistors Bipolar - BJT

Hersteller:

diodes incorporated
Herstellerteil #:

ZXTD4591E6
Datenblatt:

ZXTD4591E6 Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

SOT26
Produktart:

Single Bipolar Transistors
RoHS:
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

ZXTD4591E6 Allgemeine Beschreibung

DESCRIPTIONComplementary NPN and PNP medium power transistors packaged in the 6 lead SOT23 package.FEATURES• Low Equivalent On Resistance - NPN RCE(sat) 210mΩ at 1A - PNP RCE(sat) 355mΩ at -1A• Low Saturation Voltage• hFE characterised up to 2A• IC=1A Continuous Collector Current• SOT23-6 packageAPPLICATIONS• MOSFET gate driver• Low Power Motor Drive• Low Power DC-DC Converters

Hauptmerkmale

NPN Transistor
BVCEO> 60V
IC = 1A Continuous Collector Current
Low Saturation Voltage (500mV max @ 1A)
hFE characterised up to 2A
RSAT = 210mΩ @1A for a Low Equivalent On-Resistance
PNP Transistor
BVCEO> -60V
IC = -1A Continuous Collector Current
Low Saturation Voltage (-600mV max @ -1A)
hFE characterised up to 2A
RSAT = 355mΩ @1A for a Low Equivalent On-Resistance
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors

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