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Siehe Technische Spezifikationen

ZXTN19100CFFTA +BOM

NPN BJT Transistor 100V - ZXTN19100CFFTA Bipolar Transistors

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTN19100CFFTA
Datenblatt:

ZXTN19100CFFTA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

235mV @ 450mA, 4.5A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXTN19100CFFTA

ZXTN19100CFFTA Allgemeine Beschreibung

Product ZXTN19100CFFTA is a high-performance NPN bipolar transistor with a power rating of 1.5W and a maximum current rating of 4.5A. It features a voltage rating of 100V and a current gain of 200 at 100mA, making it suitable for a wide range of applications. The transistor comes in a small SOT-23F package, which is ideal for space-constrained designs. Additionally, the ZXTN19100CFFTA is ROHS-compliant, ensuring environmentally friendly manufacturing processes

Hauptmerkmale

High forward blocking voltage
Low saturation voltage
High gain
Low profile high dissipation package

Spezifikationen

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	4.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	235mV @ 450mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 100mA, 2V
Power - Max	1.5 W	Frequency - Transition	150MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTN19100

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