Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXTN2010GTA +BOM

This NPN transistor handles up to amps of current reliabl

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTN2010GTA
Datenblatt:

ZXTN2010GTA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

260mV @ 300mA, 6A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXTN2010GTA

ZXTN2010GTA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 6 A 130MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3

Hauptmerkmale

Extremely low equivalent on-resistance; RSAT = 35mV at 6A
6 amps continuous current
Up to 20 amps peak current
Very low saturation voltages
Excellent hFE characteristics up to 10 amps

Spezifikationen

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	260mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 2A, 1V
Power - Max	3 W	Frequency - Transition	130MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTN2010

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..