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Siehe Technische Spezifikationen

ZXTN25100DZTA +BOM

BJT NPN 100V High Gain Bipolar Transistors

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTN25100DZTA
Datenblatt:

ZXTN25100DZTA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

345mV @ 250mA, 2.5A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXTN25100DZTA

ZXTN25100DZTA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2.5 A 175MHz 2.4 W Surface Mount SOT-89-3

Hauptmerkmale

BVCEO> 100V
BVECO> 6V
IC = 2.5A Continuous Collector Current
ICM = 3.5A Peak Collector Current
VCE(SAT) <100mV @ 1A
RCE(SAT) = 80mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
Complementary PNP Type: ZXTP25100CZ
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	345mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 10mA, 2V
Power - Max	2.4 W	Frequency - Transition	175MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTN25100

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