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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXTP2012GTA +BOM

Bipolar Junction Transistors - BJT

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTP2012GTA
Datenblatt:

ZXTP2012GTA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

250mV @ 500mA, 5A
EDA/CAD Modelle:

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ZXTP2012GTA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5.5 A 120MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3

Hauptmerkmale

Extremely low equivalent on-resistance; RSAT = 39mV at 5A
5.5 amps continuous current
Up to 15 amps peak current
Very low saturation voltages
Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps

Spezifikationen

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 2A, 1V
Power - Max	3 W	Frequency - Transition	120MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTP2012

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