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Siehe Technische Spezifikationen

ZXTP2027FTA +BOM

The ZXTP2027FTA is a PNP-type bipolar junction transistor (BJT) engineered for various applications

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTP2027FTA
Datenblatt:

ZXTP2027FTA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

240mV @ 200mA, 4A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXTP2027FTA

ZXTP2027FTA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 4 A 165MHz 1.2 W Surface Mount SOT-23-3

Hauptmerkmale

BVCEO> -60V
IC = -4A High Continuous Collector Current
ICM = -10A Peak Pulse Current
Low Saturation Voltage -60mV Max @ IC = -1A.
RCE(SAT) = 45mΩ at 1A for a Low Equivalent On-Resistance
1.2W Power Dissipation
Complimentary NPN Type: ZXTN2018F
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	240mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 2A, 2V
Power - Max	1.2 W	Frequency - Transition	165MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTP2027

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