Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXTP25100CZTA +BOM

PNP Silicon Transistor designed for Power Applications

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTP25100CZTA
Datenblatt:

ZXTP25100CZTA Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

225mV @ 100mA, 1A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXTP25100CZTA

ZXTP25100CZTA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 1 A 180MHz 2.4 W Surface Mount SOT-89-3

Hauptmerkmale

BVCEO> -100V
BVECO> -7V
IC = -1A Continuous Collector Current
ICM = -3A Peak Collector Current
VCE(SAT) <-225mV @ -1A
RCE(SAT) = 155mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
Complementary NPN Type: ZXTN25100DZ
Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Transistor Type	PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	225mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	50nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 10mA, 2V
Power - Max	2.4 W	Frequency - Transition	180MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	ZXTP25100

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..