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Siehe Technische Spezifikationen

2N3638A +BOM

Bipolar transistor with small signal capability, PNP type, featuring 0.8A collector current and 25V collector-emitter breakdown voltage

Hersteller:

MOTOROLA
Herstellerteil #:

2N3638A
Datenblatt:

2N3638A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N3638A

2N3638A Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 800 mA 625 mW Through Hole TO-92-3

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Collector Current-Max (IC)	0.8 A	Collector-Emitter Voltage-Max	25 V
DC Current Gain-Min (hFE)	100	JEDEC-95 Code	TO-92
JESD-30 Code	O-PBCY-W3	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	PNP	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	150 MHz

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