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2N4393-E3 +BOM

VISHAY SILICONIX 2N4393-E3 JFET Transistor, JFET, -55 V, 5 mA, 30 mA, -3 V, TO-206AA, JFET

Hersteller:

Vishay Intertechnology, Inc
Herstellerteil #:

2N4393-E3
Datenblatt:

2N4393-E3 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS):

40 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0):

5 mA @ 20 V
Voltage - Cutoff (VGS Off) @ Id:

500 mV @ 1 nA

2N4393-E3 Allgemeine Beschreibung

Featuring RoHS compliance, the 2N4393-E3 meets strict environmental standards, making it a sustainable option for eco-conscious projects. Whether you're designing audio amplifier circuits or experimenting with small electronic devices, this transistor offers reliable performance and consistent behavior. Its compact size and efficient design make it a valuable component in a wide range of applications, from automation systems to sensor networks. Trust the 2N4393-E3 for your next electronics project and experience the benefits of quality engineering and superior functionality

Hauptmerkmale

Low on-resistance
Fast switching
High off-isolation
Low capacitance
Low insertion loss
Low error voltage
High speed analogue circuit performance
Good frequency response, low glitches
Eliminates additional buffering

Vishay Intertechnology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsJFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)	40 V
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)	5 mA @ 20 V	Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id	500 mV @ 1 nA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14pF @ 20V	Resistance - RDS(On)	100 Ohms
Power - Max	1.8 W	Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	2N4393

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