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Siehe Technische Spezifikationen

2N6052 +BOM

This Bipolar Power PNP Darlington Transistor is designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.

Hersteller:

NTE Electronics, Inc
Herstellerteil #:

2N6052
Datenblatt:

2N6052 Datenblatt (PDF)
Packaging:

Tray
Factory Pack Quantity:

1
Feature-type:

PNP
Feature-configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6052

2N6052 Allgemeine Beschreibung

This Bipolar Power PNP Darlington Transistor is designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications.

Hauptmerkmale

High DC Current Gain
h_FE = 3500 (Typ) @ I_C = 5.0 Adc
Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 100 mA
V_CEO(sus) = 80 Vdc (Min)2N6058
100 Vdc (Min)2N6052, 2N6059
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
This is a Pb-Free Device

Spezifikationen

Product Category:	Bipolar Transistors - BJT	Packaging:	Tray
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	1
Subcategory:	Transistors	feature-type	PNP
feature-configuration	Single	feature-number-of-elements-per-chip	1
feature-maximum-collector-emitter-voltage-v	100	feature-maximum-collector-base-voltage-v	100
feature-maximum-emitter-base-voltage-v	5	feature-maximum-base-emitter-saturation-voltage-v	4@120mA@12A
feature-maximum-continuous-dc-collector-current-a	12	feature-minimum-dc-current-gain	1000@1A@3V\|1000@6A@3V\|150@12A@3V
feature-maximum-power-dissipation-mw	150000	feature-maximum-collector-emitter-saturation-voltage-v	2@24mA@6A\|3@120mA@12A
feature-packaging	Tray	feature-rad-hard
feature-pin-count	3	feature-cecc-qualified	No
feature-escc-qualified		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc-exceeds-threshold	No

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