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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7000KL-TR1-E3 +BOM

Electronic component capable of handling up to 60 volts and 0.47 amperes

Hersteller:

vishay
Herstellerteil #:

2N7000KL-TR1-E3
Datenblatt:

2N7000KL-TR1-E3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Height:

4.6 mm
Length:

4.6 mm
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7000KL-TR1-E3

2N7000KL-TR1-E3 Allgemeine Beschreibung

MOSFET, N, TO-92; Transistor Polarity:N; Max Voltage Vds:60V; On State Resistance:2ohm; Power Dissipation:0.8W; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC; Case Style:TO-92; Cont Current Id:0.47A; Current Temperature:25°C; Device Marking:2N7000KL; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Power Dissipation Pd:0.8W; Pulse Current Idm:1A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:MOSFET; Typ Voltage Vds:60V; Typ Voltage Vgs th:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Hauptmerkmale

TrenchFET® Power MOSFET
ESD Protected: 2000 V

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Height	4.6 mm
Length	4.6 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	MOSFETs
Width	3.6 mm	Unit Weight	0.016000 oz

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