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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002DW H6327 +BOM

Mosfet Array 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

2N7002DW H6327
Datenblatt:

2N7002DW H6327 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel

2N7002DW H6327 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 60V 300mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Hauptmerkmale

Dual N-Channel MOSFET
Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
Ultra-Small Surface Mount Package
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Notes 3 & 4)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	300 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	600 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	500 mW
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Series	2N7002	Configuration	Dual
Fall Time	3.1 ns, 3.1 ns	Forward Transconductance - Min	200 mS, 200 mS
Height	0.9 mm	Length	2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	3.3 ns, 3.3 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	5.5 ns, 5.5 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns, 3 ns	Width	1.25 mm
Part # Aliases	2N72DWH6327XT SP000917596 2N7002DWH6327XTSA1	Unit Weight	0.000265 oz

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