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Siehe Technische Spezifikationen

2N7002E-T1-GE3 +BOM

N-channel metal-oxide semiconductor field-effect transistor with a 60V maximum voltage and 0.24A maximum current in a SOT-23 package

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

2N7002E-T1-GE3
Datenblatt:

2N7002E-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

240mA (Ta)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002E-T1-GE3

2N7002E-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236

Hauptmerkmale

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
Low On-Resistance: 3 
Low Threshold: 2 V (typ.)
Low Input Capacitance: 25 pF
Fast Switching Speed: 7.5 ns
Low Input and Output Leakage
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Anwendung

Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.
Battery Operated Systems
Solid-State Relays

Spezifikationen

Series	-	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	240mA (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 250mA, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	21 pF @ 5 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	2N7002

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