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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7002H6327XTSA2 +BOM

MOSFET N-Ch 60V 300mA SOT-23-3

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

2N7002H6327XTSA2
Datenblatt:

2N7002H6327XTSA2 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002H6327XTSA2

2N7002H6327XTSA2 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 60 V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Hauptmerkmale

N-channel
Enhancement mode
Logic level
Avalanche rated
fast switching
Pb-free lead-plating; RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	300 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	600 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	500 mW
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Series	2N7002	Configuration	Single
Fall Time	3.1 ns	Forward Transconductance - Min	200 mS
Height	1.1 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	3.3 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	5.5 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns	Width	1.3 mm
Part # Aliases	2N7002 H6327 SP000929182	Unit Weight	0.000282 oz

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Bewertungen und Rezensionen

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F**z 04.12.2023

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