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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N7002K-7 +BOM

2N7002K-7 transistor suitable for a variety of applications requiring N-Channel functionality

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

2N7002K-7
Datenblatt:

2N7002K-7 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N7002K-7

2N7002K-7 Allgemeine Beschreibung

Designed for low voltage applications, the 2N7002K-7 N-channel enhancement mode MOSFET transistor offers a drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 310mA. Its low threshold voltage of 1V and low on-resistance make it an ideal choice for power management, battery charging, and DC-DC conversion. The high input impedance of this transistor allows for seamless integration into driving circuits with high input impedance, while its fast switching speed enables high-speed operation in switching applications. Housed in a compact SOT-23 package, the 2N7002K-7 provides space-saving benefits for PCB designs and features three easily identifiable terminals for convenient connection

Hauptmerkmale

HIGH RELIABILITY

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	84 Weeks
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	60 V	Drain Current-Max (ID)	0.3 A
Drain-source On Resistance-Max	2 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	5 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.35 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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