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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SK170-GR +BOM

End-of-life announcement for outdated FET

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

2SK170-GR
Datenblatt:

2SK170-GR Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Series:

2SK170
Type:

JFET
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SK170-GR

2SK170-GR Allgemeine Beschreibung

For engineers and enthusiasts seeking a dependable solution for amplifying low-level signals with precision, the 2SK170-GR JFET offers unmatched performance and versatility. Its high input impedance of 10^12 ohms enables accurate signal processing, while the low noise figure of 3dB at 1kHz ensures clean amplification without compromising signal integrity. The maximum Vds of 40V and Id of 10mA make it suitable for a wide range of applications, from audio circuits to instrumentation setups. With its TO-92 package and easily identifiable leads, the 2SK170-GR simplifies circuit design and offers superior amplification capabilities for your projects. Trust in the 2SK170-GR to deliver exceptional performance in amplifying weak signals with minimal distortion

Hauptmerkmale

High power gain capability
Good common mode rejection ratio
Excellent noise immunity
Compact size and weight
Precise current limiting mechanism

Anwendung

Instrumentation
High impedance
Buffers

Spezifikationen

Product Category	JFET	Technology	Si
Series	2SK170	Product Type	JFETs
Subcategory	Transistors	Type	JFET

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