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Siehe Technische Spezifikationen

BC 846S H6327 +BOM

Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BC 846S H6327
Datenblatt:

BC 846S H6327 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

65 V

BC 846S H6327 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	250 mW
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Series	BC846	Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	200	DC Current Gain hFE Max	450
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	SP000746922 BC846SH6327XT BC846SH6327XTSA1	Unit Weight	0.000212 oz

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