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Siehe Technische Spezifikationen

BCR166W +BOM

BCR166W is compliant with the ROHS directive for environmentally friendly electronics

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BCR166W
Datenblatt:

BCR166W Datenblatt (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

PNP
Typical Input Resistor:

4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio:

0.1
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BCR166W

BCR166W Allgemeine Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 160 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323-3-1

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	PNP	Typical Input Resistor	4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio	0.1	Mounting Style	SMD/SMT
DC Collector/Base Gain hfe Min	70	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Continuous Collector Current	100 mA	Peak DC Collector Current	100 mA
Pd - Power Dissipation	250 mW	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Collector- Base Voltage VCBO	50 V	DC Current Gain hFE Max	70
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Height	0.9 mm
Length	2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Subcategory	Transistors	Type	Digital Transistors
Width	1.25 mm	Unit Weight	0.004395 oz
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Current - Collector (Ic) (Max)	100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50 V	Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA	Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Frequency - Transition	160 MHz	Power - Max	250 mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BCR166

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