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Siehe Technische Spezifikationen

BC 846UPN E6327 +BOM

250mW power handling makes it suitable for high-power audio amplifier circuits

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BC 846UPN E6327
Datenblatt:

BC 846UPN E6327 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

65 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC 846UPN E6327

BC 846UPN E6327 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SC74-6

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	250 mW
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Series	BC846	Continuous Collector Current	100 mA
Height	1 mm	Length	2.9 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.6 mm	Part # Aliases	SP000012621 BC846UPNE6327XT BC846UPNE6327HTSA1
Unit Weight	0.000431 oz

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