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Siehe Technische Spezifikationen

BC 846S H6433 +BOM

Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

BC 846S H6433
Datenblatt:

BC 846S H6433 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

65 V

BC 846S H6433 Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	65 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	200 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	250 mW
Gain Bandwidth Product fT	250 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Series	BC846	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	10000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	SP000746926 BC846SH6433XT BC846SH6433XTMA1
Unit Weight	0.000265 oz

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