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Siehe Technische Spezifikationen

BC847BV,115 +BOM

NPN double transistor in an ultra small SOT666 flat lead plastic package.PNP complement: BC857BV

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

BC847BV,115
Datenblatt:

BC847BV,115 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC847BV,115

BC847BV,115 Allgemeine Beschreibung

NPN double transistor in an ultra small SOT666 flat lead plastic package.PNP complement: BC857BV

Hauptmerkmale

Wide operating temperature range
Very low current consumption
No external components required
Excellent noise immunity
Low distortion

Anwendung

Highly versatile and reliable
Compact design for space-saving

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	200 at 2 mA, 5 V
DC Current Gain hFE Max	200 at 2 mA, 5 V	Height	0.6 mm
Length	1.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	4000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.3 mm
Part # Aliases	934056535115	Unit Weight	0.035274 oz
Transistor Type	2 NPN (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 5V
Power - Max	300mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Grade	Automotive
Qualification	AEC-Q101	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	BC847

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