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Siehe Technische Spezifikationen

BC847BV,315 +BOM

NPN double transistor in an ultra small SOT666 flat lead plastic package.PNP complement: BC857BV

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

BC847BV,315
Datenblatt:

BC847BV,315 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BC847BV,315

BC847BV,315 Allgemeine Beschreibung

NPN double transistor in an ultra small SOT666 flat lead plastic package.PNP complement: BC857BV

Hauptmerkmale

300 mW total power dissipation
Very small 1.6 mm x 1.2 mm x 0.55 mm ultra thin package
Excellent coplanarity due to straight leads
Low collector capacitance
Improved thermal behaviour due to flat leads
Reduces number of components as replacement of two SC-75/SC-89 packaged BISS transistors
Reduces required board space
Reduces pick and place costs

Anwendung

General purpose switching and amplification

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	300 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	200	DC Current Gain hFE Max	450
Height	0.6 mm	Length	1.7 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	8000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	1.3 mm	Part # Aliases	934056535315
Unit Weight	0.000099 oz

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