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Siehe Technische Spezifikationen

BC857BS-7-F +BOM

Featuring dual PNP bipolar transistor configuration, BC857BS-7-F by Diodes Inc supports a current of up to -100 mA and a voltage of -45 V

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

BC857BS-7-F
Datenblatt:

BC857BS-7-F Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

400mV @ 5mA, 100mA

BC857BS-7-F Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363

Hauptmerkmale

Ultra-Small Surface Mount Package
Ideally Suited for Automated Insertion
For switching and AF Amplifier Application
Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP capable (Note 4)

Spezifikationen

Transistor Type	2 PNP (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	220 @ 2mA, 5V
Power - Max	200mW	Frequency - Transition	100MHz
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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