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Siehe Technische Spezifikationen

BCM53DSX +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 80V 1A 140MHz 500mW Surface Mount 6-TSOP

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

BCM53DSX
Datenblatt:

BCM53DSX Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BCM53DSX

BCM53DSX Allgemeine Beschreibung

PNP/PNP matched double transistors in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN/NPN complement: BCM56DS

Hauptmerkmale

High collector current capability IC and ICM
Reduces component count
Reduces pick and place costs
Current gain matching 5%
Application-optimized pinout
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Current mirror
Differential amplifier
Linear voltage regulators
MOSFET drivers
High-side switches
Power management
Amplifiers

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	100 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	500 mW
Gain Bandwidth Product fT	140 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	- 1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	63	DC Current Gain hFE Max	250
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Part # Aliases	934070951115	Unit Weight	0.000391 oz

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