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Siehe Technische Spezifikationen

BCM847QASZ +BOM

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 100MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

BCM847QASZ
Datenblatt:

BCM847QASZ Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

45 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BCM847QASZ

BCM847QASZ Allgemeine Beschreibung

NPN/NPN matched double transistors in an ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP/PNP complement: BCM857QAS

Hauptmerkmale

Reduces component count
Reduces pick and place costs
Low package height of 0.37 mm
Current gain matching
Base-emitter voltage matching
Application-optimized pinout
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Current mirror
Differential amplifier

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	45 V	Collector- Base Voltage VCBO	50 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	100 mA	Pd - Power Dissipation	350 mW
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Qualification	AEC-Q101
Continuous Collector Current	100 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	200
DC Current Gain hFE Max	450	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	934071231147

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