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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BF1005S +BOM

BF1005S Transistors RF MOSFET

Hersteller:

SIEMENS A G
Herstellerteil #:

BF1005S
Datenblatt:

BF1005S Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

4
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

LOW NOISE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BF1005S

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen BF1005S-Treiber von SIEMENS A G an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung BF1005S.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Pin Count	4
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Additional Feature	LOW NOISE	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	12 V
Drain Current-Max (ID)	0.025 A	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 Code	R-PDSO-G4
Number of Elements	1	Number of Terminals	4
Operating Mode	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON
Product Category	RF MOSFET Transistors	Transistor Polarity	N-Channel
Technology	Si	Id - Continuous Drain Current	25 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	8 V	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	SMD/SMT
Channel Mode	Enhancement	Forward Transconductance - Min	0.03 S
Pd - Power Dissipation	200 mW	Product Type	RF MOSFET Transistors
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Small Signal MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	3 V

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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