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BFS 481 H6327 +BOM

RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BFS 481 H6327
Datenblatt:

BFS 481 H6327 Datenblatt (PDF)
Series:

BFS481
Transistor Type:

Bipolar Power
Technology:

Si
Qualification:

AEC-Q101
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BFS 481 H6327

BFS 481 H6327 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT363-PO

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Product Category:	RF Bipolar Transistors	Series:	BFS481
Transistor Type:	Bipolar Power	Technology:	Si
Qualification:	AEC-Q101	Packaging:	MouseReel
Product Type:	RF Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Type:	RF Bipolar Power
Part # Aliases:	BFS481H6327XT SP000750462 BFS481H6327XTSA1	Unit Weight:	0.000221 oz

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