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Siehe Technische Spezifikationen

BFR949L3E6327 +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BFR949L3E6327
Datenblatt:

BFR949L3E6327 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

Bipolar
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

9 GHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BFR949L3E6327

BFR949L3E6327 Allgemeine Beschreibung

RF Transistor NPN 10V 50mA 9GHz 250mW Surface Mount PG-TSLP-3-1

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Product Category:	RF Bipolar Transistors	Transistor Type:	Bipolar
Technology:	Si	Transistor Polarity:	NPN
Operating Frequency:	9 GHz	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	10 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	1.5 V	Minimum Operating Temperature:	- 65 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT	Packaging:	Cut Tape
Collector- Base Voltage VCBO:	20 V	DC Current Gain hFE Max:	100 at 5 mA at 6 V
Height:	0.45 mm	Length:	1 mm
Maximum DC Collector Current:	50 mA	Pd - Power Dissipation:	250 mW
Product Type:	RF Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	15000
Subcategory:	Transistors	Type:	RF Bipolar Small Signal
Width:	0.6 mm	Part # Aliases:	BFR949L3E6327XT

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